发明名称 量子点和纳米线的合成
摘要 一种自组装半导体纳米结构,包括核心和壳体,其中核心或壳体中的一个富集应变成分,且核心或壳体中的另一个富集非应变成分,其中,纳米结构为量子点或纳米线。一种方法,包括使用一种生长方式在基底上生长半导体合金结构,所述生长方式产生具有自组装核心和壳体的半导体合金结构,并容许所述结构达到平衡,使得核心或壳体中的一种产生应变,而另一种不产生应变。另一种方法,包括在基底上生长至少一个半导体合金纳米结构,其中所述纳米结构包括应变成分和非应变成分,并且在所述生长期间控制组成分布,使得应变成分和非应变成分之间的过渡基本上为连续的。
申请公布号 CN103403871A 申请公布日期 2013.11.20
申请号 CN201180057406.8 申请日期 2011.12.03
申请人 犹他大学研究基金会 发明人 冯·柳;杰拉尔德·斯特林费洛;晓彬·牛
分类号 H01L29/12(2006.01)I 主分类号 H01L29/12(2006.01)I
代理机构 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人 王朋飞;刘成春
主权项 一种方法,包括:使用产生具有自组装核心和壳体的半导体合金结构的生长方式,在基底上生长半导体合金结构;和容许所述结构的形成,使得所述核心或壳体中的一个产生应变,而所述核心或壳体中的另一个不产生应变。
地址 美国犹他州
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