| 发明名称 | 同一衬底上具有高压元件和低压元件的半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种同一衬底上具有高压元件和低压元件的半导体装置，包含衬底和形成于衬底上的低压元件区域与高压元件区域，所述高压元件区域包含形成于衬底表面的n+漏极区，包围该n+漏极区的n型外延层，以及形成于该n型外延层下方的n型外延扩展扩散层。 | ||
| 申请公布号 | CN102104038B | 申请公布日期 | 2013.11.20 |
| 申请号 | CN201010602387.X | 申请日期 | 2010.12.23 |
| 申请人 | 普缘芯半导体科技(上海)有限公司 | 发明人 | J·庞纳斯 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 翟羽 |
| 主权项 | 一种同一衬底上具有高压元件和低压元件的半导体装置，包含衬底和形成于衬底上的低压元件区域与高压元件区域，其特征在于，所述高压元件区域包含形成于衬底表面的n+漏极区，包围该n+漏极区的n型外延层，以及形成于该n型外延层下方的n型外延扩展扩散层；并且所述n+漏极区和n型外延层之间还具有环绕n+漏极区的n型掺杂区，该n型掺杂区的掺杂浓度高于所述n型外延层的掺杂浓度。 | ||
| 地址 | 200336 上海市长宁区仙霞路369号现代广场1号楼1302室 | ||