发明名称 |
一种FPGA片上SRAM电源 |
摘要 |
本实用新型公开一种FPGA片上SRAM电源:包括用于提供1.2V和1.8V的双基准电压的参考电压电路、用于检测SRAM电源电压值和1.2V基准电压并产生数字逻辑输出的电压检测器、用于抑制或补偿SRAM的电源电压并提高SRAM电源电压的驱动能力的电压比较器、用于产生电压泵输出电压的有效VCLK时钟信号的环形振荡器、用于为全芯片的SRAM单元提供3.3V的电源支持的电荷泵;参考电压电路连接电压检测器,电压检测器连接环形振荡器和SRAM单元,电压比较器连接电荷泵,环形振荡器连接电荷泵,电荷泵为SRAM单元提供工作电源;本实用新型能降低FPGA片上SRAM存储器的动态开关功耗和静态直流功率。 |
申请公布号 |
CN203301367U |
申请公布日期 |
2013.11.20 |
申请号 |
CN201320382613.7 |
申请日期 |
2013.06.28 |
申请人 |
成都鸿芯纪元科技有限公司 |
发明人 |
何弢 |
分类号 |
H02M3/07(2006.01)I |
主分类号 |
H02M3/07(2006.01)I |
代理机构 |
成都高远知识产权代理事务所(普通合伙) 51222 |
代理人 |
李高峡 |
主权项 |
一种FPGA片上SRAM电源,其特征在于:包括用于提供1.2V和1.8V的双基准电压的参考电压电路、用于检测SRAM电源电压值和1.2V基准电压并产生数字逻辑输出的电压检测器、用于抑制或补偿SRAM的电源电压并提高SRAM电源电压的驱动能力的电压比较器、用于产生电压泵输出电压的有效VCLK时钟信号的环形振荡器、用于为全芯片的SRAM单元提供3.3V的电源支持的电荷泵;所述参考电压电路连接电压检测器,所述电压检测器连接环形振荡器和SRAM单元,所述电压比较器连接电荷泵,所述环形振荡器连接电荷泵,所述电荷泵为SRAM单元提供工作电源。 |
地址 |
610041 四川省成都市高新区天府大道北段1480号6幢102室 |