光致抗蚀剂组合物以及形成光刻图案的方法

摘要

光致抗蚀剂组合物以及形成光刻图案的方法。通过负性显影工艺提供了用于形成光刻图案中的光致抗蚀剂组合物。还提供了通过负性显影工艺形成光刻图案的方法和涂覆光致抗蚀剂组合物的基底。所述组合物、方法和涂覆基底在半导体设备的制造中有特别的应用。提供一种光致抗蚀剂组合物，所述组合物包括：酸敏感的第一聚合物；由具有下述通式(I)的单体形成的第二聚合物其中所述第二聚合物是酸不敏感的且不含氟和硅，其中所述第二聚合物的表面能低于所述第一聚合物的表面能；光致酸生成剂；和溶剂。

主权项

1.一种通过负性显影形成光刻图案的方法，所述方法包括： (a)提供一种基底，所述基底包括在所述基底表面上待形成图案的一层或多层； (b)将光致抗蚀剂组合物的层施加到待形成图案的一层或多层之上； (c)将光致抗蚀剂组合物层在光化辐射下图案化曝光； (d)在后曝光烘焙处理中加热所述已曝光的光致抗蚀剂组合物层；和 (e)将有机显影剂施加到所述光致抗蚀剂组合物层，其中通过所述有机显影剂除去所述光致抗蚀剂层的未曝光部分，在待形成图案的一层或多层上留下光致抗蚀剂图案； 所述光致抗蚀剂组合物包括： 酸敏感的第一基质聚合物，所述第一基质聚合物包括可酸裂解的基团；由具有下述通式(I)的单体形成的第二添加聚合物： 其中P是具有下述通式结构的可聚合的官能团： 其中R₂选自氢和取代以及未取代C1到C3烷基；且X为氧或由式NR₃表示，其中R₃选自氢和取代以及未取代C1到C10直链、支链和环状烃；Z是选自任意取代的直链或支链脂肪族和芳香族烃及其组合的间隔单元，任选具有一个或多个选自-O-、-S-、-COO-和-CONR₁-的连接基团，其中R₁选自氢和取代及未取代C1到C10直链、支链和环状烃；m是从0到5的整数；以及R以式C_nH_2n+1表示，其中n是从1到20的整数， 其中所述第二添加聚合物是酸不敏感的且不含氟和硅，其中所述第二添加 聚合物的表面能低于所述第一基质聚合物的表面能，所述第二添加聚合物朝光致抗蚀剂涂层的上表面位移以形成主要由第二添加聚合物组成的表面层； 光致酸生成剂；和 溶剂。