发明名称 |
具有散热结构的半导体封装及其制造方法 |
摘要 |
本发明关于一种具有散热结构的半导体封装及其制造方法,该半导体封装包括一第一基板、一第一晶粒、一金属导热件以及一散热件,该第一基板具有一上表面,该第一晶粒设置于该第一基板的上表面,该第一晶粒具有一顶面及一第一接合层,该第一接合层形成于该顶面,该金属导热件设置于该第一晶粒的第一接合层上,该散热件设置于该金属导热件上,该散热件具有一内表面、一第二接合层及一拦坝,该第二接合层及该拦坝形成于该内表面,该第二接合层抵接该金属导热件,该拦坝围绕该该金属导热件,且该拦坝可限位该金属导热件。藉此,可确保该金属导热件在经过后高温工艺时能被限位在该拦坝内,进而可防止该金属导热件因高温而熔融的流动。 |
申请公布号 |
CN102324409B |
申请公布日期 |
2013.11.20 |
申请号 |
CN201110320435.0 |
申请日期 |
2011.10.11 |
申请人 |
日月光半导体制造股份有限公司 |
发明人 |
皮敦庆;叶勇谊;陈建成;高仁傑;洪正辉;黄敏龙 |
分类号 |
H01L23/367(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/367(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
陆勍 |
主权项 |
一种半导体封装,包括:一第一基板,具有一上表面;一第一晶粒,设置于该第一基板的上表面,该第一晶粒具有一顶面;一金属导热件,设置于该第一晶粒的顶面上,且该金属导热件的表面积至少不小于该第一晶粒的表面积;一散热件,设置于该金属导热件上,该散热件具有一内表面;以及一拦坝,形成于该散热件的内表面,该拦坝围绕该金属导热件,且该拦坝可限位该金属导热件,其中,该拦坝的高度不小于该金属导热件的一半厚度。 |
地址 |
中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号 |