| 发明名称 | 聚合物基陶瓷复合介电材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种聚合物基陶瓷复合介电材料，其特征在于，由多层介电材料层构成，所述多层介电材料层包括：第一聚偏二氟乙烯层；以及复合材料层，所述复合材料层设在所述第一聚偏二氟乙烯层的一侧表面上且含有90～50vol％的聚偏二氟乙烯和10～50vol％的纳米钛酸钡。根据本发明实施例的聚合物基陶瓷复合介电材料具有更高的介电常数、更良好的加工性能。本发明还提供了一种电容器以及聚合物基陶瓷复合介电材料的制备方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102173155B | 申请公布日期 | 2013.11.20 |
| 申请号 | CN201110008545.3 | 申请日期 | 2011.01.14 |
| 申请人 | 北京化工大学 | 发明人 | 刘晓林;陈建锋;窦晓亮;栗艳 |
| 分类号 | B32B27/18(2006.01)I;B32B27/30(2006.01)I;C08L27/16(2006.01)I;C08K3/24(2006.01)I;C08J7/04(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I;H01G4/06(2006.01)I | 主分类号 | B32B27/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 贾玉 |
| 主权项 | 一种聚合物基陶瓷复合介电材料，其特征在于，由多层介电材料层构成，所述多层介电材料层包括：第一聚偏二氟乙烯层；以及复合材料层，所述复合材料层设在所述第一聚偏二氟乙烯层的一侧表面上且含有90~50vol%的聚偏二氟乙烯和10~50vol%的纳米钛酸钡；第二聚偏二氟乙烯层，所述第二聚偏二氟乙烯层设在所述复合材料层的另一侧表面上；其中，所述复合材料层由多层复合材料子层构成，在各所述复合材料子层中纳米钛酸钡的含量从位于中间的所述复合材料子层向着位于两侧的所述复合材料子层逐层减少。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北三环东路15号北京化工大学 | ||