| 发明名称 | 多层芯片堆叠结构及其实现方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多层芯片堆叠结构，至少包含三层芯片，中间层芯片内包含TSV，在至少一个中间层芯片之外区域加工有穿透介质层的金属柱，直接实现非邻近层的通讯。还公开了两种多层芯片堆叠的实现方法，本发明在使用TSV的同时，在中间层芯片之外的区域，制作穿透介质层的垂直导电通道，直接实现跨层通讯，不仅降低了内层芯片的压力，也为系统设计提供了更多自由度。 | ||
| 申请公布号 | CN103400830A | 申请公布日期 | 2013.11.20 |
| 申请号 | CN201310333411.8 | 申请日期 | 2013.08.02 |
| 申请人 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 发明人 | 宋崇申 |
| 分类号 | H01L25/065(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/065(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人 | 任益 |
| 主权项 | 一种多层芯片堆叠结构，至少包含三层芯片，其特征在于：中间层芯片内包含TSV，在至少一个中间层芯片之外区域加工有穿透介质层的金属柱，直接实现非邻近层的通讯。 | ||
| 地址 | 214135 江苏省无锡市菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋 | ||