| 发明名称 | 具有增加的效率的VCSEL阵列 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种VCSEL阵列，其包括在公共衬底（1）上并排布置的若干VCSEL。每个VCSEL至少由顶部镜（5，14）、有源区（4）、电流注入层（3）和未掺杂的底部半导体镜（2）形成。所述电流注入层（3）设置在所述有源区（4）与所述底部半导体镜（2）之间。所述衬底（1）的至少上层是导电的。沟槽（8）和/或孔在所述VCSEL的所述底部半导体镜（2）之间形成到所述衬底（1）的所述上层。金属化部（9）通过所述沟槽（8）和/或孔将所述衬底（1）的所述上层与所述电流注入层（3）电连接。所提出的VCSEL阵列允许均匀的电流注入并且具有高的效率和功率密度。 | ||
| 申请公布号 | CN103403986A | 申请公布日期 | 2013.11.20 |
| 申请号 | CN201280012332.0 | 申请日期 | 2012.03.02 |
| 申请人 | 皇家飞利浦有限公司 | 发明人 | P.H.格拉奇 |
| 分类号 | H01S5/42(2006.01)I;H01S5/183(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李亚非;汪扬 |
| 主权项 | 一种包括在公共衬底（1）上并排布置的若干VCSEL的VCSEL阵列，每个VCSEL至少由顶部镜（5，14）、有源区（4）、电流注入层（3）和未掺杂的底部半导体镜（2）形成，所述电流注入层（3）设置在所述有源区（4）与所述底部半导体镜（2）之间，其中‑ 所述衬底（1）的至少上层是导电的，‑ 沟槽（8）和/或孔在所述VCSEL的所述底部半导体镜（2）之间形成到所述衬底（1）的所述上层，并且‑ 金属化部（9）通过所述沟槽（8）和/或孔将所述衬底（1）的所述上层与所述电流注入层（3）电连接。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||