一种钼碳共掺二氧化钛光催化薄膜的制备方法

摘要

本发明属于光催化薄膜技术领域，具体为一种钼碳共掺二氧化钛光催化薄膜的制备方法。本发明采用射频磁控溅射技术，使用三靶共溅的溅射仪器，三个溅射靶分别为碳化钛陶瓷靶、嵌钼二氧化钛陶瓷靶以及纯二氧化钛陶瓷靶；基板采用玻璃或金属板，溅射时以Ar离子轰击靶材，通过调节各靶的溅射功率来实时调控薄膜的钼、碳和钛的原子浓度比，以获得优良的光催化和光电转换性能。

主权项

一种钼碳共掺二氧化钛光催化薄膜的制备方法，其特征在于采用射频磁控溅射技术，使用三靶共溅的溅射仪器，三个溅射靶分别为碳化钛陶瓷靶、嵌钼二氧化钛陶瓷靶以及纯二氧化钛陶瓷靶；基板采用玻璃或金属板，溅射时以Ar离子轰击靶材，通过调节各靶的溅射功率来实时调控薄膜的钼、碳和钛的原子浓度比，以获得优良的光催化和光电转换性能；制备的具体条件如下：基板温度为室温至300℃；射频磁控溅射时使用氧、氩混合气体，总气压为0.1~1.0 Pa，其中O2分压占总气压比为0.5~10.0 ％；溅射功率密度为1.7~177 kW/m2；制备得到的薄膜样品在空气、氮气或惰性气体保护下退火，退火温度为400~600 ℃，退火时间为1~5小时。