| 发明名称 | 一种用于减少硅通孔技术镀铜退火后空洞的添加剂 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于减少硅通孔技术镀铜退火后空洞的添加剂，其中，该添加剂包含按质量百分比计0.05-1%的分子量不同的季胺化聚乙烯亚胺及其衍生物中的一种或几种，以及1-10%的平均分子量为200-20000的聚乙二醇。添加剂配合甲基磺酸铜体系电镀液使用。甲基磺酸铜体系电镀液中按体积比计包含1-5ml/L的该添加剂。甲基磺酸铜体系电镀液按质量体积比计包含铜离子50-110g/L，甲级磺酸5-50g/L，氯离子20-80mg/L。电镀液还包含按体积比计0.5-5ml/L的加速剂，5-20ml/L的抑制剂以及5-10ml/L的整平剂。本发明提供的用于减少硅通孔技术镀铜退火后空洞的添加剂，能够解决电镀铜高温退火后晶界间微空洞的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN103397354A | 申请公布日期 | 2013.11.20 |
| 申请号 | CN201310343223.3 | 申请日期 | 2013.08.08 |
| 申请人 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 发明人 | 王溯;于仙仙;马丽;李艳艳 |
| 分类号 | C25D3/38(2006.01)I;C25D5/50(2006.01)I;C25D7/12(2006.01)I | 主分类号 | C25D3/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人 | 贾慧琴 |
| 主权项 | 一种用于减少硅通孔技术镀铜退火后空洞的添加剂，其特征在于，该添加剂包含按质量百分比计0.05‑1%的分子量不同的季胺化聚乙烯亚胺及其衍生物中的一种或几种，以及1‑10%的平均分子量为200‑20000的聚乙二醇。 | ||
| 地址 | 201616 上海市松江区思贤路3600号 | ||