发明名称 |
闪存装置和调节闪存装置的读电压的方法 |
摘要 |
一种闪存装置包括单元阵列和读电压调节器。所述单元阵列包括具有第一存储单元的第一区域和具有第二存储单元的第二区域。所述读电压调节器参考从第二区域的存储单元读取的第二数据来确定用于从第一区域的第一存储单元读取第一数据的读电压。 |
申请公布号 |
CN101335047B |
申请公布日期 |
2013.11.20 |
申请号 |
CN200810129293.8 |
申请日期 |
2008.06.30 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
姜东求 |
分类号 |
G11C16/02(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I;G11C16/08(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
钱大勇 |
主权项 |
一种闪存装置,包括:单元阵列,包括具有第一多个存储单元的第一区域和具有第二多个存储单元的第二区域;和读电压调节器,用于参考从第二区域的第二多个存储单元读取的第二数据来确定用于从第一区域的第一多个存储单元读取第一数据的读电压,其中,所述读电压调节器根据第二数据,对与接通单元对应的位数进行计数,并且基于对应于接通单元的位数将读电压调节得更低,其中,通过索引读电压来读出所述第二区域的第二多个存储单元,所述索引读电压是用于将所述第二区域的第二多个存储单元编程为最高状态的校验电压。 |
地址 |
韩国京畿道 |