发明名称 | 半导体基板结构及半导体装置 | ||
摘要 | 本发明公开了一种半导体基板结构及半导体装置。该半导体基板结构包括形成在半导体基板主体(100)上的电极焊盘(103)、在半导体基板主体(100)上与电极焊盘(103)留有间隔形成的表面保护膜(123)以及形成在电极焊盘(103)上的凸点(111)。表面保护膜(123)具有包围电极焊盘(103)的障碍部(123a)。障碍部(123a)的高度与表面保护膜(123)中障碍部(123a)以外的部分的高度不同。 | ||
申请公布号 | CN102282659B | 申请公布日期 | 2013.11.20 |
申请号 | CN200980154577.5 | 申请日期 | 2009.08.04 |
申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 仲野纯章 |
分类号 | H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
主权项 | 一种半导体基板结构,其包括:形成在半导体基板主体上的电极焊盘、形成在所述半导体基板主体上且具有让所述电极焊盘露出的开口部的表面保护膜、以及形成在所述电极焊盘上的凸点,其特征在于:所述电极焊盘和所述表面保护膜相互留有间隔而形成,所述表面保护膜具有包围所述电极焊盘的障碍部,所述障碍部的高度与所述表面保护膜中障碍部以外之部分的高度不同,所述障碍部是凹部,所述凹部的至少一部分对助熔剂的亲和性比所述表面保护膜的其他部分对助熔剂的亲和性高。 | ||
地址 | 日本大阪府 |