| 发明名称 | 用于背照式图像传感器的抗反射层及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种呈现改进的量子效率的图像传感器器件。例如，提供了一种背照式(BSI)图像传感器器件，包括：具有前表面和后表面的基板；设置在基板的前表面处的感光区；以及设置在基板的后表面上方的抗反射层。当在小于700nm的波长处进行测量时，抗反射层具有大于或等于约2.2的折射率以及小于或等于约0.05的消光系数。本发明还提供了用于背照式图像传感器的抗反射层及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102376724B | 申请公布日期 | 2013.11.20 |
| 申请号 | CN201110218318.3 | 申请日期 | 2011.08.01 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黄志辉;蔡正原;杜友伦;蔡嘉雄;杨敦年;刘人诚 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;高雪琴 |
| 主权项 | 一种背照式图像传感器器件，包括：基板，具有前表面和后表面；感光区，设置在所述基板的所述前表面处；以及抗反射层，设置在所述基板的所述后表面上方，其中，当在小于700nm的波长处进行测量时，所述抗反射层具有大于或等于2.2的折射率和小于或等于0.05的消光系数，以及，所述抗反射层为碳化硅SiC层，并且所述SiC层具有20%至30%的Si与C的比。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||