发明名称 КОНПЕНСИРУЮЩИЕ КОМПОЗИЦИИ И СПОСОБ ПОПОЛНЕНИЯ КОМПОЗИЦИИ ДЛЯ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ ОБРАБОТКИ
摘要 1. Способ пополнения композиции для предварительной обработки, включающий: добавление компенсирующей композиции к композиции для предварительной обработки, в котором компенсирующая композиция включает:(a) растворенный фторидный комплекс иона металла, в котором ион металла включает металл IIIA группы, металл IVA группы, металл IVB группы или их комбинации, и(b) компонент, включающий оксид, гидроксид, карбонат металлов IIIA группы, металлов IVA группы, металлов ГУВ группы или их комбинации.2. Способ по п.1, в котором компенсирующая композиция дополнительно содержит (с) растворенный ион металла, включающий металл IB группы, металл IIB группы, металл VIIB группы, металл VIII группы, лантаниды или их комбинации.3. Способ по п.1, в котором по меньшей мере 8 мас.% общей массы ионов металла компонентов (а) и (b), присутствующих в компенсирующей композиции, обеспечивают компонентом (b).4. Способ по п.1, в котором компонент (а) компенсирующей композиции включает HTiF, HZrF, HHfF, HSiF, HGeF, HSnFили их комбинации.5. Способ по п.1, в котором металл компонента (b) включает титан, цирконий, гафний, алюминий, кремний, германий, олово или их комбинации.6. Способ по п.1, в котором компонент (b) включает основной карбонат циркония, гидроксид алюминия, оксид олова, гидроксид кремния или их комбинации.7. Способ по п.2, в котором растворенный ион металла компонента (с) включает марганец, церий, кобальт, медь, цинк или их комбинации.8. Способ по п.1, в котором компонент (а) присутствует в компенсирующей композиции в количестве 10-92 мас.% ионов металла относительно общей массы ионов металла компонентов (а) и (b) компенсирующей композиции.9. Способ по п.3, в котором компонент (b) присутствует в компен�
申请公布号 RU2012118690(A) 申请公布日期 2013.11.20
申请号 RU20120118690 申请日期 2010.10.05
申请人 ППГ ИНДАСТРИЗ ОГАЙО, ИНК. 发明人 ЧЭН Шань;ДЕШАН Джеймс А.;ФОТИНОС Нисифорос А.;МАКМИЛЛЕН Марк;РАКИЕВИЧ Эдвард Ф.;РЕНЕЙ Дэвид А.
分类号 C23C22/34 主分类号 C23C22/34
代理机构 代理人
主权项
地址