透明铌酸镁铋薄膜压控变容管的制备方法

摘要

本发明公开了一种透明铌酸镁铋薄膜压控变容管的制备方法：采用固相烧结法制备Bi1.5MgNb1.5O7靶材，烧成温度为1150～1180℃；再将清洁干燥的氧化铟锡玻璃衬底放入磁控溅射样品台上；使用Ar和O2作为溅射气体，沉积得到Bi1.5MgNb1.5O7薄膜，再于氧气气氛炉中进行后退火处理；然后利用掩膜版在Bi1.5MgNb1.5O7薄膜上面制备金属电极。本发明的变容管透明性高，调谐率适中，且器件稳定性好，制备工艺简单、电极性能优良，制备过程中无重金属中毒或污染现象，具有良好的应用前景。

主权项

一种透明铌酸镁铋薄膜压控变容管的制备方法，具体步骤如下：（1）采用固相烧结法制备Bi1.5MgNb1.5O7靶材按Bi1.5MgNb1.5O7对应元素的化学计量比称取原料Bi2O3，MgO和Nb2O5，充分混合后压制成型，置于电炉中于1150～1180℃烧制Bi1.5MgNb1.5O7靶材；（2）将清洁干燥的氧化铟锡玻璃衬底放入磁控溅射样品台上；（3）将磁控溅射系统的本底真空抽至P<9.0×10‑6Torr，然后加热衬底至400～700℃；（4）在步骤（3）系统中，使用Ar和O2作为溅射气体，溅射功率为100～200W，进行沉积得到Bi1.5MgNb1.5O7薄膜；（5）步骤（4）停止后，待衬底温度降至100℃以下时，取出样品，在氧气气氛炉中进行后退火处理；（6）步骤（5）结束后，在Bi1.5MgNb1.5O7薄膜上面利用掩膜版制备金属电极。