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一种内建模拟电源电路，其特征在于，包括：带隙基准源、运算放大器、第一补偿电容、第二补偿电容、第一稳压电容、第二稳压电容、高压PMOS功率管、低压NMOS管、第一电阻、第二电阻和外部电源电压；所述带隙基准源的基准电压输出端与所述运算放大器的负输入端相连；所述带隙基准源的基准电压输出端通过所述第二稳压电容接地；所述运算放大器的输出端、所述第一补偿电容的上极板与所述高压PMOS功率管的栅极相连；所述高压PMOS功率管的漏极、所述第二电阻的一端、所述第二补偿电容的下极板、所述低压NMOS管的漏极与所述第一稳压电容的上极板相连，所述高压PMOS功率管的漏极、所述第二电阻的一端、所述第二补偿电容的下极板、所述低压NMOS管的漏极与所述第一稳压电容的上极板的连接处构成节点，所述节点也是内部模拟电源VCC的输出节点；所述第二电阻的另一端、所述第一电阻的一端、所述第二补偿电容的上极板、所述低压NMOS管的栅极与所述运算放大器的正输入端相连；所述外部电源电压与所述带隙基准源的电源端、所述运算放大器的电源端、所述第一补偿电容的下极板、所述高压功率管的源极及衬底相连；所述带隙基准源的地端、所述运算放大器的地端、所述第一电阻的另一端、所述低压NMOS管的源极及衬底、所述第一稳压电容的下极板与地电压相连。 |
