| 发明名称 | III族氮化物衬底、包含其的半导体设备及制造经表面处理的III族氮化物衬底的方法 | ||
| 摘要 | 本发明一实施方式涉及的III族氮化物衬底具有表面层。该表面层含有3at.％～25at.％的碳，并且含有5×1010原子/cm2～200×1010原子/cm2的p型金属元素。该III族氮化物衬底成为具有稳定表面的III族氮化物衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN102272362B | 申请公布日期 | 2013.11.20 |
| 申请号 | CN200980154114.9 | 申请日期 | 2009.01.19 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 石桥惠二 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 苏卉;车文 |
| 主权项 | 一种III族氮化物衬底，其中，具有表面层，上述表面层含有3at.%～25at.%的碳，并且含有5×1010原子/cm2～200×1010原子/cm2的p型金属元素，上述表面层的氧浓度是3at.%～15at.%，并且，上述表面层的Si浓度是500×1010原子/cm2～8000×1010原子/cm2。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||