发明名称 |
影像显示系统及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种影像显示系统及其制造方法。一种包含薄膜晶体管阵列基板的影像显示系统,包括具有像素区域的基板,源极/漏极区在基板之上,位于像素区域的有源层范围内,下电极在基板的像素区域,上电极覆盖下电极,第一介电层设置于有源层上,第二介电层设置于第一介电层上,其中第二介电层设置于下电极与上电极之间,以及栅极在有源层之上,其中第一和第二介电层介于栅极与有源层之间。 |
申请公布号 |
CN101540331B |
申请公布日期 |
2013.11.20 |
申请号 |
CN200910009239.4 |
申请日期 |
2009.02.25 |
申请人 |
统宝光电股份有限公司 |
发明人 |
勒米殊·卡卡德;高孝维;林忠生;刘驰中 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
陶凤波 |
主权项 |
一种影像显示系统,包括:薄膜晶体管阵列基板,包括:基板,具有像素区域;源极/漏极区,设置于该基板之上,位于该像素区域的有源层范围内;下电极,设置于该基板之上,位于该像素区域内;上电极,设置于该下电极之上;第一介电层,设置于该有源层上;第二介电层,设置于该第一介电层上,其中该第二介电层设置于该下电极与该上电极之间;以及栅极,设置于该有源层之上,其中该第一和第二介电层介于该栅极与该有源层之间,且该下电极与该源极/漏极区的材料为注入离子的半导体层,其中该栅极与该有源层之间的该第一和第二介电层的总厚度大于该下电极与该上电极之间的该第一和第二介电层的总厚度。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业区 |