发明名称 |
气体辅助型有机场效应晶体管传感器及其制备方法与应用 |
摘要 |
本发明公开了一种气体辅助型场效应晶体管传感器及其制备方法与应用。该有机场效应晶体管,包括栅电极层、绝缘层、源电极、漏电极、有机半导体层和气体接收层;为如下结构a或b:结构a:所述绝缘层位于所述栅电极层之上;所述有机半导体层位于所述绝缘层之上;所述源电极、漏电极和气体接收层位于同一层,且均位于所述有机半导体层之上;结构b:所述绝缘层位于所述栅电极层之上;所述源电极和漏电极位于所述绝缘层之上;所述有机半导体层覆盖所述源电极、漏电极及绝缘层上未被源电极和漏电极覆盖的区域;所述气体接收层位于所述有机半导体层之上。该晶体管可实现对不同气体的有效检测并制备多气体传感器,具有重要的应用价值。 |
申请公布号 |
CN103399072A |
申请公布日期 |
2013.11.20 |
申请号 |
CN201310334156.9 |
申请日期 |
2013.08.02 |
申请人 |
中国科学院化学研究所 |
发明人 |
狄重安;臧亚萍;张凤娇;孟青;朱道本 |
分类号 |
G01N27/414(2006.01)I |
主分类号 |
G01N27/414(2006.01)I |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 |
代理人 |
关畅 |
主权项 |
一种有机场效应晶体管传感器,包括栅电极层、绝缘层、有机半导体层、源电极、漏电极和气体接收层;所述传感器的结构为如下结构a或b:结构a:所述绝缘层位于所述栅电极层之上;所述有机半导体层位于所述绝缘层之上;所述源电极、漏电极和气体接收层位于同一层,且均位于所述有机半导体层之上;结构b:所述绝缘层位于所述栅电极层之上;所述源电极和漏电极位于所述绝缘层之上;所述有机半导体层覆盖所述源电极、漏电极及绝缘层上未被源电极和漏电极覆盖的区域;所述气体接收层位于所述有机半导体层之上。 |
地址 |
100080 北京市海淀区中关村北一街2号 |