发明名称 一种制备多孔性前趋层及吸收层薄膜平坦化的方法
摘要 本发明公开了一种制备多孔性前趋层及吸收层薄膜平坦化的方法,使用工作气氛压力大于10mtorr,及镀率小于10nm/mins低功率溅镀,使得前驱物形成多孔性的薄膜,并使薄膜表面粗糙度大大降低(<100nm),达到了最佳平坦度,避免了薄膜与基板产生剥离和裂痕;且可以使硒化或硫化后的吸收层(CIGS)表面粗度降低,有利于后续缓冲层及光窗层的制作,明显提升了CIGS薄膜太阳能电池的效率。
申请公布号 CN103400899A 申请公布日期 2013.11.20
申请号 CN201310340867.7 申请日期 2013.08.07
申请人 研创应用材料(赣州)有限公司 发明人 黄信二
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C22C1/02(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 江西省专利事务所 36100 代理人 杨志宇
主权项 一种制备多孔性前趋层及吸收层薄膜平坦化的方法,其特征为:首先将Cu、Ga材料放入真空感应熔炼炉中进行熔炼,然后浇铸在三寸的低碳钢的模具中,待降温12小时候脱膜取出靶材胚体经机加工成三寸溅镀用CuGa靶材备用;另外将In材料放入真空感应熔炼炉中进行熔炼,然后浇铸在三寸的低碳钢的模具中,待降温12小时候脱膜取出靶材胚体经机加工成三寸溅镀用In靶材备用;然后以无碱玻璃为基板,接着把所需镀着玻璃基材、CuGa靶材、In靶材放入溅镀腔体中,先以DC电源溅镀第一层500nm厚的Mo薄膜,然后溅镀第二层1000nm厚的CIG吸收层前趋物薄膜,接着将镀制好薄膜放在硒化炉中进行后硒化,然后取出试片,即得。
地址 341000 江西省南昌市赣州市开发区香港工业园北区标准厂房六栋