发明名称 阵列基板的结构及其制造方法
摘要 本发明的实施例公开了一种阵列基板的结构及其制作方法。涉及液晶显示器的制造工艺,解决了现有技术中采用四次光刻工艺制造阵列基板生产效率低的问题。本实施例中的阵列基板的结构主要包括像素电极图案和栅图案,所述栅图案包括栅极扫描线和薄膜晶体管的栅极,所述栅极扫描线和栅极均包括依次沉积在基板上的透明导电金属层和栅金属层,所述像素电极图案中的每个像素电极包括透明导电金属层;所述像素电极图案和栅图案上沉积有栅极绝缘层,所述栅极绝缘层上形成有与所述栅极对应的有源层图案、以及露出所述像素电极的栅绝缘层过孔;所述栅极绝缘层上还设有源/漏图案等。本发明实施例主要应用于液晶显示器相关领域。
申请公布号 CN102270604B 申请公布日期 2013.11.20
申请号 CN201010197076.X 申请日期 2010.06.03
申请人 北京京东方光电科技有限公司 发明人 刘翔;刘圣烈;薛建设
分类号 H01L21/77(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I 主分类号 H01L21/77(2006.01)I
代理机构 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人 申健
主权项 一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:1)在基板上依次沉积透明导电金属层和栅金属层;2)利用第一双调掩模板进行构图形成像素电极图案和栅图案;3)在形成有所述像素电极图案和栅图案的基板上依次沉积栅极绝缘层和有源层;4)利用第二双调掩模板进行构图形成露出所述像素电极图案中的像素电极的栅绝缘层过孔,以及与所述栅图案中的栅极对应的有源层图案、并保留所述有源层图案上的光刻胶;5)在形成有所述有源层图案和过孔的基板上沉积源/漏金属层,所述源/漏金属层通过所述过孔与像素电极接触;6)剥离所述有源层图案上的光刻胶从而使所述光刻胶以及与所述光刻胶对应部分的源/漏金属层脱落;7)利用第三掩模板通过构图工艺形成源/漏图案,所述源/漏图案包括与栅极扫描线交叉的数据扫描线、源极和漏极,所述漏极包括所述源/漏金属层通过所述过孔与所述像素电极接触的部分。
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