发明名称 |
一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺 |
摘要 |
一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺,本发明的技术方案要点是:一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺,将称量好的三碲化二镓放置在砷化镓原材料中,再将装有三碲化二镓的砷化镓原材料、籽晶及B2O3顺序放置在热解氮化硼坩堝内,然后将热解氮化硼坩堝放置在石墨坩堝中,最后将放有物料的石墨坩堝放入单晶炉中进行单晶生长。本发明对生长的砷化镓单晶掺杂量能精确控制,并同时使生长的n型低阻砷化镓单晶具有良好的电学性能。 |
申请公布号 |
CN103397386A |
申请公布日期 |
2013.11.20 |
申请号 |
CN201310315978.2 |
申请日期 |
2013.07.25 |
申请人 |
新乡市神舟晶体科技发展有限公司 |
发明人 |
吕云安;李玉萍;李磊 |
分类号 |
C30B29/42(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/42(2006.01)I |
代理机构 |
新乡市平原专利有限责任公司 41107 |
代理人 |
吕振安 |
主权项 |
一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺,其特征在于:将称量好的三碲化二镓放置在砷化镓原材料中,再将装有三碲化二镓的砷化镓原材料、籽晶及B2O3顺序放置在热解氮化硼坩堝内,然后将热解氮化硼坩堝放置在石墨坩堝中,最后将放有物料的石墨坩堝放入单晶炉中进行单晶生长。 |
地址 |
453000 河南省新乡市南环路新美城上领地新乡市神舟晶体科技发展有限公司 |