自对准沟槽的形成方法

摘要

本发明涉及半导体装置的形成方法，其包含形成自对准沟槽，其中使用第一组沟槽(300)来对准第二组沟槽(302)。本文所教示的方法可用作间距加倍技术，且因此可提高装置整合度。另外，通过使用极薄CMP终止层(211)并使周围材料凹陷与所述CMP终止层(211)的厚度大致相等的量可在所述装置的表面上提供改善的平坦性。

主权项

一种形成集成电路的方法，其包括：在衬底上形成结构，所述结构包括结构材料和蚀刻终止层，所述蚀刻终止层具有上表面和下表面；对所述结构实施平坦化并在所述蚀刻终止层上终止平坦化；使所述结构材料选择性凹陷使得在所述选择性凹陷结束时，所述结构材料的暴露的上表面与所述蚀刻终止层的所述下表面大致共面；及选择性去除所述蚀刻终止层，以留下包括凹陷的结构材料的预先暴露的上表面的大致共面表面和通过去除所述蚀刻终止层暴露的材料的上表面。