碳化硅单晶的制造装置

摘要

本发明的碳化硅单晶制造装置具备反应容器(10)、配置在反应容器(10)内的晶种(5)和加热容器(9)。晶种(5)被配置在反应容器(10)的上方，从反应容器(10)下方供给原料气体(3)。加热容器(9)相对于反应容器(10)被配置在原料气体(3)的流动路径上游侧。加热容器(9)具备中空筒状部件(9c)、原料气体入口(9a)、原料气体供给喷嘴(9b)和多个挡板(9d～9i)。原料气体入口(9a)向中空筒状部件(9c)内导入原料气体(3)。原料气体供给喷嘴(9b)将原料气体(3)从中空筒状部件(9c)向反应容器(10)中排出。多个挡板(9d～9i)在从原料气体入口(9a)到原料气体供给喷嘴(9b)之间被配置在原料气体(3)的流动路径上。

主权项

一种碳化硅单晶的制造装置，其具备：反应容器（10）、配置在反应容器（10）内、且由碳化硅单晶基板构成的晶种（5）、对原料气体（3）进行加热的加热容器（9）；晶种（5）被配置在反应容器（10）的上方；碳化硅的原料气体（3）从反应容器（10）的下方供给，到达晶种（5），在晶种（5）的表面使碳化硅单晶（6）生长；加热容器（9）相对于反应容器（10）被配置在所述原料气体（3）的流动路径上游侧；加热容器（9）具备：中空筒状部件（9c）、原料气体入口（9a）、原料气体供给喷嘴（9b）和多个挡板（9d～9f）；原料气体入口（9a）向中空筒状部件（9c）内导入所述原料气体（3）；原料气体供给喷嘴（9b）从所述中空筒状部件（9c）向所述反应容器（10）中排出原料气体（3）；多个挡板（9d～9f）在从原料气体入口（9a）到原料气体供给喷嘴（9b）之间被配置在原料气体（3）的流动路径上；多个挡板（9d～9f）与中空筒状部件（9c）的中心轴交叉，以该中心轴作为排列方向多段排列地配置；多个挡板（9d～9f）具有位于最靠近原料气体入口（9a）侧的最下方的挡板（9d）；最下方的挡板（9d）在从上方看加热容器（9）时覆盖原料气体入口（9a）。