发明名称 |
Cu-Ni-Si系合金及其制造方法 |
摘要 |
提供兼具高强度和高缺口弯曲性的Cu-Ni-Si系合金及其制造方法。Cu-Ni-Si系合金,其含有0.8~4.5质量%的Ni和0.2~1.0质量%的Si,剩余部分由铜和不可避免的杂质组成,在板厚的45~55%的剖面位置即板厚方向的部,与板厚方向平行地进行EBSD测定,解析晶体取向时,Cube取向{001}<100>的面积率为10~80%、Brass取向{110}<112>的面积率为20%以下、Copper取向{112}<111>的面积率为20%以下。 |
申请公布号 |
CN103403202A |
申请公布日期 |
2013.11.20 |
申请号 |
CN201280012297.2 |
申请日期 |
2012.03.01 |
申请人 |
JX日矿日石金属株式会社 |
发明人 |
波多野隆绍;长野真之 |
分类号 |
C22C9/06(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I;C22C9/01(2006.01)I;C22C9/02(2006.01)I;C22C9/04(2006.01)I;C22C9/05(2006.01)I;C22C9/10(2006.01)I;C22F1/08(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;C22F1/00(2006.01)I |
主分类号 |
C22C9/06(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
蔡晓菡;李炳爱 |
主权项 |
Cu‑Ni‑Si系合金,其含有0.8~4.5质量%的Ni和0.2~1.0质量%的Si,剩余部分由铜和不可避免的杂质组成,在板厚的45~55%的剖面位置即板厚方向的中央部,与板厚方向平行地进行EBSD测定,解析晶体取向时,Cube取向{001}<100>的面积率为10~80%、Brass取向{110}<112>的面积率为20%以下、Copper取向{112}<111>的面积率为20%以下。 |
地址 |
日本东京都 |