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Zur Herstellung eines Temperatursensors, bei dem eine mindestens 100 Ohm aufweisende Leiterbahn (42) aus Platin über Kontaktfelder (41) mit zwei Leiterbahnen (12,16) aus Kupfer verbunden wird, und die Leiterbahn (42) aus Platin in Dünnschichttechnik als eine mindestens 10 mm lange, 3 bis 50 µm breite und 0,1 bis 5 µm dicke Platinbahn auf einer 1 bis 10 mm2 großen rechteckigen Fläche eines 0,1 bis 1 mm dicken keramischen Plättchen(40)an ihren beiden Enden in 20 bis 500 fach verbreiterte Kontaktfelder (41) übergeht, erfolgt erfindungsgemäß Strukturieren dieser beiden verbreiterten Felder (41) im Inneren dieser Felder (41) Auftragen einer Metallpaste auf beiden innerlich strukturierten Feldern, und Einbrennen der Metallpaste, so dass die aus der Paste erzeugte Dickschicht 3/Pad mit einer oxidischen Komponente auf der durch die innerliche Struktur der Kontaktfelder (41) frei zugänglichen oxidischen Oberfläche des keramischen Plättchens (40) verankert wird. |
