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<p>Eine Baugruppe für eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie hat eine Beleuchtungsoptik zur Führung von Beleuchtungslicht hin zu einem Beleuchtungsfeld, in dem eine Lithografiemaske anordenbar ist. Die Beleuchtungsoptik hat einen ersten Facettenspiegel (19), der eine Mehrzahl von Spiegel-Arrays (26) mit jeweils einer Mehrzahl von Einzelspiegeln (27) aufweist. Die Einzelspiegel (27) stellen Einzelspiegel-Ausleuchtungskanäle zur Führung von Beleuchtungslicht-Teilbündeln hin zum Beleuchtungsfeld bereit. Die Spiegel-Arrays (26) des ersten Facettenspiegels (19) sind in einer Array-Überstruktur angeordnet. Zwischen Benachbarten der Spiegel-Arrays (26) erstrecken sich Lücken (28) längs zumindest einer Hauptrichtung (HRα). Ferner hat die Beleuchtungsoptik einen zweiten Facettenspiegel, der dem ersten Facettenspiegel (19) im Strahlengang des Beleuchtungslichts nachgeordnet ist und eine Mehrzahl von Facetten aufweist, die jeweils zur Abbildung einer Gruppe der Einzelspiegel (27) des Feldfacettenspiegels (19) in das Beleuchtungsfeld über einen Gruppenspiegel-Ausleuchtungskanal beitragen, wobei die Bilder der Einzelspiegel (27) sich im Beleuchtungsfeld zum gesamten Beleuchtungsfeld (5) ergänzen. Die Baugruppe hat ferner eine Projektionsoptik zur Abbildung eines Objektfeldes, welches im Beleuchtungsfeld angeordnet ist, in ein Bildfeld und einen Objekthalter zur Halterung der Lithografiemaske im Objektfeld, der über einen Objektverlagerungsantrieb längs einer Verlagerungsrichtung (y) verlagerbar ist. Die mindestens eine Hauptrichtung (HRα) schließt mit der Verlagerungsrichtung (y) einen kleinsten Winkel (α) ein, der im Bereich zwischen 20° und 44° liegt. Es resultiert eine Baugruppe, bei der Lücken zwischen den Spiegel-Arrays allenfalls geringe negative Auswirkungen auf die Gleichmäßigkeit einer Beleuchtung des Beleuchtungsfeldes über die Beleuchtungsoptik haben.</p> |
