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发明名称
SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
Semiconductor device comprising a source electrode, a drain electrode and a semiconducting layer consisting of a single or double 2-dimensional layer(s) made from one of the following materials: MoS2, MoSe2, WS2, WSe2, MoTe2 or WTe2.
申请公布号
EP2661775(A1)
申请公布日期
2013.11.13
申请号
EP20120708058
申请日期
2012.01.04
申请人
ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL)
发明人
KIS, ANDRAS;RADISAVLJEVIC, BRANIMIR
分类号
H01L29/786;H01L29/66
主分类号
H01L29/786
代理机构
代理人
主权项
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