发明名称 一种新型磁场取向电源退磁结构
摘要 本实用新型公开了一种新型磁场取向电源退磁结构,包括取向线圈、模腔、上下冲模和连接取向线圈的取向电路,模腔置于感应线圈中,冲模位于模腔上下位置,在对模腔中的磁粉进行压制成型时,取向电路输出高强度的充磁取向电流,取向线圈产生强磁场对磁坯进行充磁,充磁后取向电路输出较小的反向充磁取向电流,取向线圈产生反向磁场对磁坯进行退磁。本实用新型利用取向电路中高频开关电源的全桥变换器结构,通过整流、恒流限压和换向3大功能模块实现了取向电源的工作要求,本实用新型生产的磁坯均为异方性磁体,在磁坯的后期再加工充磁过程中其场强比同方性磁体高出25%,高频全桥变换器可高速输出正向和反向电流,满足了高速成型压机的工作周期。
申请公布号 CN203288377U 申请公布日期 2013.11.13
申请号 CN201320291634.8 申请日期 2013.05.22
申请人 麦格雷博电子(深圳)有限公司 发明人 欧达强;靳德臣
分类号 H01F13/00(2006.01)I 主分类号 H01F13/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种新型磁场取向电源退磁结构,包括取向线圈、模腔、上下冲模和连接取向线圈的取向电路,所述模腔置于取向线圈中,所述上下冲模位于模腔上下位置,其特征在于,所述取向电路采用高频开关电源的全桥变换器结构,包括整流、高频恒流限压和低频正反向控制三大电路模块,所述整流模块将三相交流电转换成直流电,直流电经过高频恒流限压模块中的滤波电容和高频全桥变换器实现恒流限压,所述低频正反向控制模块包括绝缘栅双极型晶体管IGBT5至IGBT8,IGBT5和IGBT6串联,IGBT7和IGBT8串联,两组串联的绝缘栅双极型晶体管再并联,取向线圈一端接在串联的IGBT5和IGBT6之间,一端接在串联的IGBT7和IGBT8之间;所述低频正反向控制模块通过串并联的绝缘栅双极型晶体管IGBT5‑IGBT8实现充磁取向电流的正向输出和反向输出,充磁取向电流正向输出时,IGBT5和IGBT8开通,然后给指令高频恒流限压模块中的绝缘栅双极型晶体管IGBT1、IGBT4和IGBT2、IGBT3进行高频交替工作恒流输出,充磁取向电流正向输出停止时,先停止高频恒流限压模块中的绝缘栅双极型晶体管IGBT1‑IGBT4,然后关断IGBT5,IGBT8继续导通,并利用IGBT6的续流二极管对感性负载进行续流直到电流降到零再关断IGBT8,反向电流输出时,先开通IGBT6和IGBT7,然后给指令高频恒流限压模块中的IGBT1、IGBT4和IGBT2、IGBT3进行高频交替工作恒流输出,反向电流停止时,先停止高频恒流限压模块中的绝缘栅双极型晶体管IGBT1‑IGBT4,然后关断IGBT7,IGBT6继续导通,并利用IGBT8的续流二极管对感性负载进行续流直到电流降到零再关断IGBT6。
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