发明名称 |
一种TSV背面露头方法 |
摘要 |
本发明涉及一种微电子加工工艺中的TSV结构的背面露头技术,在利用背面研磨工艺处理对TSV的晶圆衬底背面减薄至距离TSV铜柱底部1-10um范围之后,利用CMP工艺处理晶圆衬底背面,直到TSV铜柱从背面露出,然后对晶圆衬底背面露出的铜柱端面的铜进行化学置换处理,在晶圆衬底背面TSV的铜柱端面形成一层金属保护膜。之后利用刻蚀工艺对衬底材料刻蚀,使得TSV底部露出,并且在晶圆衬底背面制作钝化层。因为在TSV晶圆背面硅刻蚀前就将晶圆背面露出的铜保护起来,从而避免背面硅刻蚀过程中铜与硅直接接触引起的铜沾污,同时又保证了较低的工艺集成方案的复杂度,工艺成本低廉。 |
申请公布号 |
CN103390580A |
申请公布日期 |
2013.11.13 |
申请号 |
CN201310301502.3 |
申请日期 |
2013.08.20 |
申请人 |
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
发明人 |
于大全;薛恺;刘海燕 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 |
代理人 |
任益 |
主权项 |
一种TSV背面露头方法,其特征在于包括以下步骤: (1)利用背面研磨工艺处理已完成TSV填充的晶圆衬底背面,将晶圆衬底减薄至距离TSV铜柱底部1‑10um处;(2)利用化学机械抛光工艺处理晶圆衬底背面,直到TSV铜柱从背面露出,或利用背面减薄工艺处理晶圆衬底背面直到TSV铜柱从背面露出;(3)对晶圆衬底背面露出的铜柱端面的铜进行化学置换处理,在晶圆衬底背面TSV的铜柱端面形成一层金属保护膜;(4)利用等离子或湿法刻蚀工艺刻蚀晶圆背面TSV周围的衬底材料,刻蚀的厚度范围为1‑8um,使得TSV底部露出;(5)在晶圆衬底背面制作钝化层;(6)对上述钝化层进行化学机械抛光,使TSV铜柱底部从衬底背面露出。 |
地址 |
214135 江苏省无锡市菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋 |