发明名称 基于膜的IC封装方法和封装的IC器件
摘要 描述了基于膜覆线(FOW)的IC器件以及基于FOW的IC封装方法。在一实施例中,一种用于封装IC管芯的方法包括:将膜层施加到附接于基板或引线框架上的IC管芯和键合引线,以形成膜覆线层,其中IC管芯和键合引线被膜覆线层包封;以及将基板或引线框架切割为IC器件。还描述了其他实施例。基于FOW的IC封装方法可以消除IC封装工艺中对模制成型的需要,并因此可以降低IC封装的成本以及封装IC器件的尺寸。
申请公布号 CN103390564A 申请公布日期 2013.11.13
申请号 CN201310163617.0 申请日期 2013.05.07
申请人 NXP股份有限公司 发明人 张静慧;王理敬;黄文鸿;潘保同;黄迟立;陈怡斌;林车函;何中雄
分类号 H01L21/56(2006.01)I;H01L23/28(2006.01)I;H01L23/34(2006.01)I 主分类号 H01L21/56(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 王波波
主权项 一种用于封装集成电路IC管芯的方法,该方法包括:将膜层施加到附接于基板或引线框架上的IC管芯和键合引线,以形成膜覆线层,其中IC管芯和键合引线被膜覆线层包封;以及将基板或引线框架切割为IC器件。
地址 荷兰艾恩德霍芬