发明名称 |
光生伏打装置以及用于划刻光生伏打装置的方法 |
摘要 |
一种包括第一和第二光生伏打电池的光生伏打装置,其中第一和第二光生伏打电池各自具有基底、沿着沉积轴布置在所述基底上并且包括传导透光层的下电极、沿着所述沉积轴布置在所述基底上的一个或多个半导体层、以及沿着所述沉积轴布置在所述一个或多个半导体层上的上电极。半导体层将入射光转换成电流。第一和第二光生伏打电池由第一和第二分离间隙分离。第一分离间隙沿着所述沉积轴从所述基底延伸通过所述下电极,而第二分离间隙沿着所述沉积轴从所述下电极的透光层的沉积表面延伸通过下电极的剩余部分以及所述一个或多个半导体层。 |
申请公布号 |
CN103392237A |
申请公布日期 |
2013.11.13 |
申请号 |
CN201280008931.5 |
申请日期 |
2012.03.06 |
申请人 |
薄膜硅公司 |
发明人 |
J·斯特芬斯;K·吉罗特拉;G·哈森 |
分类号 |
H01L31/042(2006.01)I;H01L31/075(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/042(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
王莉莉 |
主权项 |
一种包括第一和第二光生伏打电池的光生伏打装置,所述第一和第二光生伏打电池各自包括:基底;沿着沉积轴布置在所述基底上的下电极,所述下电极包括传导透光层;沿着所述沉积轴布置在所述基底上的一个或多个半导体层;以及沿着所述沉积轴布置在所述一个或多个半导体层上的上电极,所述一个或多个半导体层将入射光转换成电流,其中所述第一和第二光生伏打电池由第一和第二分离间隙分离,所述第一分离间隙沿着所述沉积轴从所述基底延伸通过所述下电极,所述第二分离间隙沿着所述沉积轴从所述下电极的透光层的沉积表面延伸通过下电极的剩余部分以及所述一个或多个半导体层。 |
地址 |
美国加利福尼亚 |