| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体结构，包括设置在衬底上的栅极结构。至少一个轻掺杂区与位于衬底中的栅极结构邻接。至少一个轻掺杂区具有第一导电类型。源极部件和漏极部件位于在衬底中的栅极结构的相对侧上。源极部件和漏极部件具有第一导电类型。源极部件位于至少一个轻掺杂区中。降压拾取区与至少一个轻掺杂区中的源极部件邻接。降压拾取区具有第二导电类型。本发明还公开了半导体结构的形成方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103390648A | 申请公布日期 | 2013.11.13 |
| 申请号 | CN201210298136.6 | 申请日期 | 2012.08.20 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈柏羽;黄婉华;陈晶盈;吴国铭 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：第一栅极结构，设置在衬底上；至少一个轻掺杂区，具有第一导电类型，并且与位于所述衬底中的所述栅极结构邻接；源极部件和漏极部件，具有所述第一导电类型，并且位于所述衬底中的所述栅极结构的相对侧，其中，所述源极部件位于所述至少一个轻掺杂区中；以及第一降压拾取区，具有第二导电类型，并且与位于所述至少一个轻掺杂区中的所述源极部件邻接。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||