| 发明名称 | 具有双功函数电极的非易失性存储元件 | ||
| 摘要 | 一种非易失性存储元件及形成所述存储元件的方法。该非易失性存储元件包括：第一电极，其包括具有第一功函数的第一材料；第二电极，其包括具有第二功函数的第二材料，所述第二功函数高于所述第一功函数；第一电介质，其设置在所述第一电极和所述第二电极之间，所述第一电介质具有第一带隙；第二电介质，其设置在所述第一电介质和所述第二电极之间，所述第二电介质具有比所述第一带隙宽的第二带隙并且被设置成使得在所述第一电介质中生成量子阱；以及第三电介质，其设置在所述第一电极和所述第一电介质之间，所述第三电介质比所述第二电介质薄并且具有比所述第一带隙宽的第三带隙。 | ||
| 申请公布号 | CN103392231A | 申请公布日期 | 2013.11.13 |
| 申请号 | CN201180060565.3 | 申请日期 | 2011.11.28 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | W·M·哈菲兹;A·拉赫曼 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;王英 |
| 主权项 | 一种非易失性存储元件，包括：第一电极，其包括具有第一功函数的第一材料；第二电极，其包括具有第二功函数的第二材料，所述第二功函数高于所述第一功函数；第一电介质，其设置在所述第一电极和所述第二电极之间，所述第一电介质具有第一带隙；第二电介质，其设置在所述第一电介质和所述第二电极之间，所述第二电介质具有比所述第一带隙宽的第二带隙并且被设置成使得在所述第一电介质中生成量子阱；以及第三电介质，其设置在所述第一电极和所述第一电介质之间，所述第三电介质比所述第二电介质薄并且具有比所述第一带隙宽的第三带隙。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||