半导体发光器件及其制造方法、以及晶片及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体发光器件、晶片、用于制造半导体发光器件的方法和用于制造晶片的方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括第一层、第二层以及发光部。第一层包含n型GaN和n型AlGaN中的至少一种。第二层包含p型AlGaN。发光部具有单量子阱结构。单量子阱结构包括第一势垒层、第二势垒层以及阱层。第一势垒层被设置在第一层与第二层之间并包含Alx1Ga1-x1-y1Iny1N(0＜x1，0≤y1，x1+y1＜1)。第二势垒层被设置在第一势垒层与第二层之间并包含Alx2Ga1-x2-y2Iny2N(0＜x2，0≤y2，x2+y2＜1)。阱层被设置在第一势垒层与第二势垒层之间，包含Alx0Ga1-x0-y0Iny0N(0≤x0，0＜y0，x0+y0＜1，y1＜y0，y2＜y0)并被配置为发射近紫外光。

主权项

一种半导体发光器件，包括：第一层，其包含n型GaN和n型AlGaN中的至少一种；第二层，其包含p型AlGaN；发光部，其被设置在所述第一层与所述第二层之间，所述发光部具有单量子阱结构；以及第一叠层结构体，其被设置在所述第一层与所述发光部之间，所述单量子阱结构包括：第一势垒层，其包含Alx1Ga1‑x1‑y1Iny1N(0＜x1，0≤y1，x1+y1＜1)；第二势垒层，其被设置在所述第一势垒层与所述第二层之间并包含Alx2Ga1‑x2‑y2Iny2N(0＜x2，0≤y2，x2+y2＜1)；以及阱层，其被设置在所述第一势垒层与所述第二势垒层之间，包含Alx0Ga1‑x0‑y0Iny0N(0≤x0，0＜y0，x0+y0＜1，y1＜y0，y2＜y0)，所述第一叠层结构体包括：包含AlGaInN的多个第三层，所述多个第三层中的每一个具有的厚度小于所述第一势垒层的厚度且小于所述第二势垒层的厚度；以及与所述多个第三层交替地层叠并包含GaInN的多个第四层，所述多个第四层中的每一个具有的厚度小于所述阱层的厚度。