| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体结构，包含有一半导体基底，其上具有多个深沟渠及位在所述多个深沟之间的多个柱体结构，其中各所述柱体结构包含一上部及一下部；一掺杂区，位于各所述柱体结构的下部；以及一扩散阻障层，位于所述下部的一侧壁上。 | ||
| 申请公布号 | CN103390620A | 申请公布日期 | 2013.11.13 |
| 申请号 | CN201210231751.5 | 申请日期 | 2012.07.05 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 俞建安;张原菘;陈凤鸰;简俊弘 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/108(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人 | 江耀纯 |
| 主权项 | 一种半导体结构，其特征在于，包含：一半导体基底，其上具有多个深沟渠及位于所述多个深沟渠之间的多个柱体结构，其中各所述柱体结构包含一上部及一下部；一掺杂区，位于各所述柱体结构的下部；以及一扩散阻障层，位于所述下部的一侧壁上。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||