| 发明名称 | 一种单晶硅绒面结构的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种单晶硅绒面结构的制备方法，涉及太阳能应用技术领域，为能够有效减少绒面入射光的反射损失、提高绒面的形成速度而发明。所述单晶硅绒面的制备方法，包括：在硅片表面沉积离散的金属颗粒；利用氢氟酸和双氧水的混合溶液对所述沉积了金属颗粒的硅片进行腐蚀，在所述硅片表面形成绒面结构。本发明可用于太阳能电池的制作工艺中。 | ||
| 申请公布号 | CN102234845B | 申请公布日期 | 2013.11.13 |
| 申请号 | CN201010154626.X | 申请日期 | 2010.04.26 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 肖青平 |
| 分类号 | C30B33/10(2006.01)I;C23F1/24(2006.01)I;C23F1/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B33/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种单晶硅绒面结构的制备方法，其特征在于，包括：采用化学镀的方法，将硅片浸入氢氟酸和硝酸银的混合溶液中，在硅片表面沉积离散的金属颗粒，其中氢氟酸的浓度为10％、硝酸银的浓度为0.01～0.03Mol/L；利用氢氟酸和双氧水的混合溶液对所述沉积了金属颗粒的硅片进行腐蚀，在所述硅片表面形成绒面结构，其中，在所述氢氟酸和双氧水的混合溶液中，氢氟酸的浓度为10％，双氧水的浓度为0.6％，腐蚀速率为9～12nm/s。 | ||
| 地址 | 100026 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼 | ||