一种TFT阵列基板及其制造方法和显示装置

摘要

本发明实施例提供一种TFT阵列基板及其制造方法和显示装置，涉及显示技术领域，改进了ADS模式的TFT阵列基板结构，使基板厚度变薄，并简化了工艺流程。TFT阵列基板制造方法包括：在玻璃基板上通过第一次构图工艺处理得到栅线和栅极；在栅线和栅极上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成石墨烯层，通过第二次构图工艺处理及氢化处理，在栅极的上方得到半导体有源层；再通过第三次构图工艺处理得到位于同一层的数据线、源极、漏极和像素电极；在数据线、源极、半导体有源层、漏极、像素电极之上形成保护层；在保护层上，在像素电极上方，形成公共电极。本发明实施例用于制造ADS模式TFT阵列基板。

主权项

一种TFT阵列基板制造方法，其特征在于，包括：在基板上形成金属层，通过第一次构图工艺处理得到栅线和栅极；在所述栅线和栅极上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成石墨烯层，通过第二次构图工艺处理及氢化处理，在所述栅极的上方得到由石墨烯构成的半导体有源层；在所述石墨烯层上通过第三次构图工艺处理得到由石墨烯构成的数据线、源极、漏极和像素电极；其中，所述源极与所述半导体有源层相接触，所述漏极与所述半导体有源层相接触，形成TFT沟道，所述像素电极与所述漏极相接触；在所述数据线、源极、半导体有源层、漏极、像素电极之上形成保护层；在所述保护层上，在所述像素电极上方，形成公共电极。