| 发明名称 | 团簇喷射式加工方法、半导体元件、微机电元件及光学零件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种团簇喷射式加工方法、半导体元件、微机电元件及光学零件。提供采用电中性的反应性团簇进行的试样加工方法，在不会使由反应性气体和沸点比反应性气体的沸点低的气体构成的混合气体发生液化的范围内的压力下，使该混合气体沿规定的方向一边绝热膨胀一边喷出，生成反应性团簇，将上述反应性团簇喷射到真空处理室内的试样上而加工试样表面。 | ||
| 申请公布号 | CN102124544B | 申请公布日期 | 2013.11.13 |
| 申请号 | CN200980132360.4 | 申请日期 | 2009.08.10 |
| 申请人 | 岩谷产业株式会社;国立大学法人京都大学 | 发明人 | 小池国彦;妹尾武彦;吉野裕;东周平;松尾二郎;濑木利夫;二宫启 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/302(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;张会华 |
| 主权项 | 一种团簇喷射式加工方法，其特征在于，在不会使由反应性气体和沸点比反应性气体的沸点低的气体构成的混合气体发生液化的范围内的压力下，使该混合气体自喷出部沿规定的方向一边绝热膨胀一边喷出，生成电中性的反应性团簇，将上述反应性团簇喷射到真空处理室内的试样上从而通过化学反应对试样表面进行加工。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||