| 发明名称 | 一种铌酸锂调制器 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种铌酸锂调制器，包括金属的管壳（1）、铌酸锂的光波导芯片（5），管壳（1）底部设置有凸台（14），凸台（14）上设置有凹槽（6），凹槽（6）里粘接有过渡热沉（2），所述过渡热沉（2）为铌酸锂，过渡热沉（2）上粘接有光波导芯片（5），过渡热沉（2）的晶向与光波导芯片（5）的晶向完全一致；采用本实用新型装置，通过在金属管壳与铌酸锂光波导芯片间增加一铌酸锂过渡热沉，可以有效的提高铌酸锂光波导芯片在宽温度范围下的可靠性，其结构简单，成本低，效果好。 | ||
| 申请公布号 | CN203287647U | 申请公布日期 | 2013.11.13 |
| 申请号 | CN201320360455.5 | 申请日期 | 2013.06.21 |
| 申请人 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 发明人 | 王定理;赵明璐;徐晓辉;凌九红 |
| 分类号 | G02F1/035(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/035(2006.01)I |
| 代理机构 | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人 | 张火春 |
| 主权项 | 一种铌酸锂调制器，包括金属的管壳（1）、铌酸锂的光波导芯片（5），其特征在于：管壳（1）底部设置有凸台（14），凸台（14）上设置有凹槽（6），凹槽（6）里粘接有过渡热沉（2），所述过渡热沉（2）为铌酸锂，过渡热沉（2）上粘接有光波导芯片（5），过渡热沉（2）的晶向与光波导芯片（5）的晶向完全一致。 | ||
| 地址 | 430205 湖北省武汉市江夏区藏龙岛开发区潭湖路1号 | ||