| 发明名称 | 半导体器件的形成方法和半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的形成方法和半导体器件，其中半导体器件的形成方法包括提供衬底，在所述衬底表面形成至少两个平行排列的栅极，每个所述栅极包括多段，相邻两栅极之间具有多段沟槽，至少一段沟槽的深宽比大于等于1；在所述栅极周围形成侧墙；在所述侧墙两侧的衬底内形成源极和漏极；形成所述源极和漏极之后，在所述衬底表面和栅极表面形成层间介质层。采用本发明的形成方法可以减小栅极和源极、栅极和漏极之间的寄生电容，提高了半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103390560A | 申请公布日期 | 2013.11.13 |
| 申请号 | CN201310317724.4 | 申请日期 | 2013.07.25 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 李乐 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 张亚利;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底表面形成至少两个平行排列的栅极，每个所述栅极包括多段，相邻两栅极之间具有多段沟槽，至少一段沟槽的深宽比大于等于1；在所述栅极周围形成侧墙；在所述侧墙两侧的衬底内形成源极和漏极；形成所述源极和漏极之后，在所述衬底表面和栅极表面形成层间介质层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||