发明名称 |
与输出电容直接并联的MOSFET同步整流电路及方法 |
摘要 |
本发明公开了一种与输出电容直接并联的MOSFET同步整流电路,包括MOSFET构成的整流电路;MOSFET构成的整流电路中包括两个用于电流流动的单向开关阀和两个双向开关阀。单向开关阀通过MOSFET和驱动电路A构成;驱动电路A包括MOSFET检测网络等;MOSFET检测网络包括电流源等;MOSFET检测网络的输入端与电压输入端相连接,电阻的一端与MOSFET检测网络的输入端相连接,电阻的另外一端与MOSFET检测网络的输出端相连接,电流源和稳压管与电阻相连接;电压比较器包括参考电压等;参考电压与比较器的正极输入端相连接;MOSFET检测网络的输出端与比较器的负极输入端相连接;比较器的输出端与驱动器的输入端相连接;驱动器与MOSFET的栅极相连接;的电流源通过在参考电压上外接外接电阻产生。 |
申请公布号 |
CN103391016A |
申请公布日期 |
2013.11.13 |
申请号 |
CN201310323655.8 |
申请日期 |
2013.07.29 |
申请人 |
魏其萃 |
发明人 |
魏其萃;翁大丰 |
分类号 |
H02M7/219(2006.01)I |
主分类号 |
H02M7/219(2006.01)I |
代理机构 |
杭州中成专利事务所有限公司 33212 |
代理人 |
金祺 |
主权项 |
与输出电容直接并联的MOSFET同步整流电路,包括MOSFET构成的整流电路;其特征是:所述MOSFET构成的整流电路中包括两个用于电流流动的单向开关阀和两个双向开关阀。 |
地址 |
310012 浙江省杭州市西湖区文二西路桂花城栖霞苑13-1-102 |