| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括提供半导体衬底，在其上形成介电层；在所述介电层上形成高介电常数材料层；在所述高介电常数材料层上形成罩层；在所述罩层上形成无定形硅层；向所述无定形硅层进行离子注入；在所述无定形硅层上形成多晶硅层。本发明所述制造方法，通过在高介电常数材料层上覆盖无定形硅层，向所述无定形硅层注入碳氟化合物，退火工艺使注入的碳和氟进入高介电常数材料层，氟能够减少高介电常数材料层中悬挂键的存在，进而减小阈值电压的漂移；碳能够降低在其他掺杂区中掺杂离子的扩散，有效提高半导体器件的稳定性；此外由于碳和氟仅在一次离子注入工艺中注入完成，注入剂量易于控制，并降低注入损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN103390559A | 申请公布日期 | 2013.11.13 |
| 申请号 | CN201210143482.7 | 申请日期 | 2012.05.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 冯军宏;甘正浩 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成介电层；在所述介电层上形成高介电常数材料层；在所述高介电常数材料层上形成罩层；在所述罩层上形成无定形硅层；向所述无定形硅层进行离子注入，注入的离子包括碳和氟；进行退火工艺，使碳和氟进入高介电常数材料层；在所述无定形硅层上形成多晶硅层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||