晶体管的形成方法

摘要

一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成若干栅介质层，在栅介质层表面形成栅电极，在栅电极表面形成硬掩膜层，在紧邻栅介质层和栅电极两侧形成第一侧墙，在紧邻第一侧墙两侧形成第二侧墙；以硬掩膜层和第二侧墙为掩膜，干法刻蚀相邻第二侧墙之间的半导体衬底，形成开口；以硬掩膜层和第二侧墙为掩膜，湿法刻蚀所述开口，使所述开口的侧壁向第二侧墙下方的半导体衬底内延伸；在湿法刻蚀后，采用氧化工艺在硬掩膜层、第二侧墙和所述开口内壁表面形成氧化层；去除所述氧化层；在去除氧化层后，在所述开口内形成应力衬垫层。本实施例所形成的晶体管的侧墙厚度更容易控制，使所形成的晶体管的性能优良。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成若干栅介质层，在所述栅介质层表面形成栅电极，在所述栅电极表面形成硬掩膜层，在紧邻所述栅介质层和栅电极的两侧形成第一侧墙，在紧邻所述第一侧墙的两侧形成第二侧墙；以所述硬掩膜层和第二侧墙为掩膜，干法刻蚀相邻第二侧墙之间的半导体衬底，形成开口；以所述硬掩膜层和第二侧墙为掩膜，湿法刻蚀所述开口，使所述开口的侧壁向第二侧墙下方的半导体衬底内凹陷；在湿法刻蚀后，采用氧化工艺在所述硬掩膜层、第二侧墙和所述开口内壁表面形成氧化层；去除所述氧化层；在去除所述氧化层后，在所述开口内形成应力衬垫层。