发明名称 一种去除高熔点黏附剂的方法
摘要 本发明公开了一种去除高熔点黏附剂的方法,该方法采用从320℃~50℃的梯形依次递减的温度层次,兼容各种熔点有机黏附剂的去除,使用时可以合理组合各个温度层次,并可以随时调节相应需要的pH值,操作使用无毒性,无污染,绿色,环保,能够有效应用于各种有机黏附剂的去除,减少了黏附剂残渣对材料和设备的污染,为半导体后道工艺提供了可靠的工艺手段。
申请公布号 CN102310059B 申请公布日期 2013.11.13
申请号 CN201010223347.4 申请日期 2010.06.30
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 汪宁;陈晓娟;罗卫军;庞磊;刘新宇
分类号 B08B3/08(2006.01)I;B08B3/12(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I 主分类号 B08B3/08(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 周国城
主权项 一种去除高熔点黏附剂的方法,其特征在于,该方法包括:步骤1:热板加热温度260~320℃,使用石英器皿,盛满1#清洗液,兆声清洗,2~3次,每次10~15分钟;所述1#清洗液主要成分为邻苯二甲酸二乙酯,使用聚乙二醇PEG200~700作为增溶剂,使用稀释草酸和双氧水和氨水作为PH调节剂,PH值为6~9;步骤2:热板加热温度200~260℃,使用石英器皿,盛满2#清洗液,兆声清洗,2~3次,每次10~15分钟;所述2#清洗液主要成分为乙酸癸酯和聚乙二醇PEG,使用乙二醇作为增溶剂,使用稀释草酸和双氧水和氨水作为PH调节剂,PH值6~9;步骤3:热板加热温度170~200℃,使用石英器皿,盛满3#清洗液,兆声清洗,2~3次,每次10~15分钟;所述3#清洗液主要成分为乙酸庚酯和聚乙二醇PEG,使用乙二醇作为增溶剂,使用稀释草酸和双氧水和氨水作为PH调节剂,PH值6~9;步骤4:热板加热温度145~170℃,使用石英器皿,盛满4#清洗液,兆声清洗,2~3次,每次10~15分钟;所述4#清洗液主要成分为乙酸己酯和辛酮,使用聚乙二醇PEG200~700作为增溶剂,使用稀释草酸和双氧水和氨水作为PH调节剂,PH值6~9;步骤5:热板加热温度100~145℃,使用石英器皿,盛满5#清洗液,兆声清洗,2~3次,每次10~15分钟;所述5#清洗液主要成分为庚酮和乙酸己酯,使用聚乙二醇PEG200~700作为增溶剂,使用稀释草酸和双氧水和氨水作为PH调节剂,PH值6~9;步骤6:热板加热温度80~100℃,使用石英器皿,盛满6#清洗液,兆声清洗,2~3次,每次10~15分钟;所述6#清洗液主要成分为乙酸丙酯和去离子水DI,使用乙二醇作为增溶剂,PEG600作为亲水剂,使用稀释草酸和双氧水和氨水作为PH调节剂,PH值6~9;步骤7:热板加热温度60~80℃,使用石英器皿,使用7#清洗液,沸煮2次,每次5~10分钟,之后用异丙醇、丙酮浸泡脱水5~10次,每次20~30秒,兆声清洗;所述7#清洗液主要为三氯乙烯;步骤8:热板加热温度60~80℃,使用石英器皿,盛满8#清洗液,兆声清洗,2~3次,每次10~15分钟;所述8#清洗液主要成分为DI和乙醇,使用聚乙二醇PEG200~700作为增溶剂,使用稀释草酸和双氧水和氨水作为PH调节剂,PH值6~9;步骤9:重复上述步骤7;步骤10:热板加热温度40~60℃,使用石英器皿,盛满9#清洗液,兆声清洗,2~3次,每次10~15分钟;所述9#清洗溶剂主要成分为乙醇,使用聚乙二醇PEG200~700作为增溶剂,使用稀释草酸和双氧水和氨水作为PH调节剂,PH值6~9;步骤11:重复上述步骤7,使用ZDMAC去膜剂煮15~25分钟,温度40~60℃;步骤12:使用去离子水全自动冲洗20~40次,再使用不加热的异丙醇、丙酮浸泡脱水3~5次,使用去离子水自动冲洗10~15次,用40~45℃热氮气吹干。
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