发明名称 | 硅基高迁移率Ⅲ-V/Ge沟道的CMOS制备方法 | ||
摘要 | 一种硅基高迁移率III-V/Ge沟道的CMOS制备方法,包括:在硅衬底上生长锗层;第一次退火后,在锗层上依次生长低温成核砷化镓层、高温砷化镓层、在生长半绝缘InGaP层和砷化镓盖层,形成样品;将样品的砷化镓盖层进行砷化镓抛光工艺,将样品进行第二次退火后生长nMOSFET结构;在nMOSFET结构的表面,选区ICP刻蚀,从nMOSFET结构向下刻蚀到锗层,形成凹槽,并在凹槽内及nMOSFET结构的表面PECVD生长二氧化硅层;在选区刻蚀的位置再次进行ICP刻蚀二氧化硅层到锗层,形成沟槽;清洗样品,采用超高真空化学气相沉积的方法,在沟槽内生长锗成核层和锗顶层;对锗顶层进行抛光,并去掉nMOSFET结构上的部分二氧化硅层;在nMOSFET结构和锗顶层上进行源、漏和栅的CMOS工艺完成器件的制备。 | ||
申请公布号 | CN103390591A | 申请公布日期 | 2013.11.13 |
申请号 | CN201310306968.2 | 申请日期 | 2013.07.22 |
申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 周旭亮;于红艳;李士颜;潘教青;王圩 |
分类号 | H01L21/8258(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8258(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
主权项 | 一种硅基高迁移率III‑V/Ge沟道的CMOS制备方法,包括以下步骤:步骤1:在清洗好的硅衬底上,采用超高真空化学气相沉积生长锗层;步骤2:将硅衬底立即放入MOCVD反应室中,第一次退火后,在锗层上依次生长低温成核砷化镓层、高温砷化镓层、在生长半绝缘InGaP层和砷化镓盖层,形成样品;步骤3:将样品取出,对砷化镓盖层进行砷化镓抛光工艺,并清洗MOCVD反应室和样品舟,将样品清洗后放入MOCVD反应室,第二次退火后生长nMOSFET结构;步骤4:在nMOSFET结构的表面,选区ICP刻蚀,从nMOSFET结构向下刻蚀到锗层,形成凹槽,并在凹槽内及nMOSFET结构的表面PECVD生长二氧化硅层;步骤5:在选区刻蚀的位置再次进行ICP刻蚀二氧化硅层到锗层,形成沟槽;步骤6:清洗样品,采用超高真空化学气相沉积的方法,在沟槽内生长锗成核层和锗顶层;步骤7:对锗顶层进行抛光,并去掉nMOSFET结构上的部分二氧化硅层;步骤8:在nMOSFET结构和锗顶层上进行源、漏和栅的CMOS工艺完成器件的制备。 | ||
地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |