发明名称 图案化紫外屏蔽膜的制备方法
摘要 本发明公开了一种图案化紫外屏蔽膜的制备方法,包括以下步骤:A)提供衬底;B)在所述衬底表面设置亲水性图案和憎水性图案杂化的图案化模板;C)在所述图案化模板表面设置屏蔽剂层,所述屏蔽剂为线性结构的双亲性表面活性剂;D)在所述修饰了屏蔽剂的模板上液相沉积紫外屏蔽膜;以及E)除去憎水性图案表面沉积的紫外屏蔽膜,得到图案化的紫外屏蔽膜。根据本发明实施例的图案化紫外屏蔽膜的制备方法能够实现在各种衬底上制备图案化紫外屏蔽膜,该方法具有操作简单、条件温和、对衬底适应性强、无需特殊的仪器设备、适用范围广等特点。
申请公布号 CN102280368B 申请公布日期 2013.11.13
申请号 CN201110117388.X 申请日期 2011.05.06
申请人 中国科学院研究生院 发明人 向军辉;梁小红;邢丽;宋波;陈世伟;赵春林;赛华征
分类号 H01L21/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 H01L21/02(2006.01)I
代理机构 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人 贾玉
主权项 一种图案化紫外屏蔽膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:A)提供衬底;B)在所述衬底表面设置亲水性图案和憎水性图案杂化的图案化模板;C)在所述图案化模板表面设置屏蔽剂层,所述屏蔽剂为线性结构的双亲性表面活性剂;D)在修饰了屏蔽剂的模板上液相沉积紫外屏蔽膜;以及E)除去憎水性图案表面沉积的紫外屏蔽膜,得到图案化的紫外屏蔽膜,步骤B)包括:B 1)在所述衬底表面形成硅基缓冲层,并使所述硅基缓冲层的端基为羟基;B 2)在所述端基为羟基的硅基缓冲层上形成端基为憎水基团的自组装硅烷分子层;以及B 3)在所述自组装硅烷分子层上覆盖图案化光掩膜,此后进行紫外照射以对所述自组装硅烷分子层进行选择性地部分改性,从而在所述衬底表面形成憎水性图案和亲水性图案杂化的图案化模板。
地址 100049 北京市石景山区玉泉路(甲)19号