| 发明名称 | 台阶状硅锗源/漏结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种台阶状硅锗源/漏结构的制造方法，该方法包括：提供硅衬底，所述硅衬底上形成有栅极结构、位于栅极结构两侧的第一间隙壁、以及位于第一间隙壁两侧的第二间隙壁；执行第一次离子注入工艺，以在第二间隙壁两侧的硅衬底中形成第一非晶态区域；去除所述第二间隙壁；执行第二次离子注入工艺，以在第一间隙壁两侧的硅衬底中形成第二非晶态区域，所述第二非晶态区域的深度小于第一非晶态区域的深度；刻蚀第一非晶态区域和第二非晶态区域，以形成台阶状凹陷部；在台阶状凹陷部内形成掺杂的台阶状硅锗源/漏结构。本发明可减少刻蚀步骤，并可降低刻蚀工艺的控制难度。 | ||
| 申请公布号 | CN102403229B | 申请公布日期 | 2013.11.13 |
| 申请号 | CN201010285821.6 | 申请日期 | 2010.09.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 李凤莲 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种台阶状硅锗源/漏结构的制造方法，包括：提供硅衬底，所述硅衬底上形成有栅极结构、位于栅极结构两侧的第一间隙壁、以及位于第一间隙壁两侧的第二间隙壁；执行第一次离子注入工艺，以在所述第二间隙壁两侧的硅衬底中形成第一非晶态区域；去除所述第二间隙壁；执行第二次离子注入工艺，以在所述第一间隙壁两侧的硅衬底中形成第二非晶态区域，所述第二非晶态区域的深度小于第一非晶态区域的深度；刻蚀所述第一非晶态区域和第二非晶态区域，以形成台阶状凹陷部，所述台阶状凹陷部的形状由所述第一非晶态区域和第二非晶态区域的形状确定；在所述台阶状凹陷部内形成掺杂的台阶状硅锗源/漏结构。 | ||
| 地址 | 100176 北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||