| 发明名称 | 横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种LDMOS，包括：一P型衬底、一N型外延层；位于该N型外延层中的一P阱；位于该P阱中的一第一N型掺杂区域；穿过该第一N型掺杂区域、该P阱、该N型外延层且直至该P型衬底的一沟槽，该沟槽的侧壁上具有第一氧化层，该沟槽中填充有P型掺杂的第一多晶硅，该第一多晶硅的上表面位于该P阱内且低于该第一N型掺杂区域；一第一金属层，该第一金属层覆盖于该第一多晶硅的上表面上以及覆盖于该第一N型掺杂区域上；和位于该P型衬底背面上的一源极金属层。本发明还公开了一种LDMOS的制作方法。本发明将原本正面引出的源极从衬底背面引出，有效减小原源极区在正面的设计面积，增大栅极区沟道的设计宽度，降低了导通电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN103390645A | 申请公布日期 | 2013.11.13 |
| 申请号 | CN201210140214.X | 申请日期 | 2012.05.08 |
| 申请人 | 上海韦尔半导体股份有限公司 | 发明人 | 纪刚;顾建平 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 薛琦;朱水平 |
| 主权项 | 一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，其包括：一P型衬底以及位于该P型衬底表面上的一N型外延层；位于该N型外延层中的一P阱；位于该P阱中的一第一N型掺杂区域；穿过该第一N型掺杂区域、该P阱、该N型外延层并且直至该P型衬底的一沟槽，该沟槽的侧壁上具有第一氧化层，该沟槽中填充有P型掺杂的第一多晶硅，该第一多晶硅的上表面位于该P阱内且低于该第一N型掺杂区域；一第一金属层，该第一金属层覆盖于该第一多晶硅的上表面上以及覆盖于该第一N型掺杂区域上；以及，位于该P型衬底背面上的一源极金属层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区松涛路489号B座302-2室 | ||