| 发明名称 | 生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜，包括由下至上依次排列的GaAs衬底、InGaAs梯度缓冲层和In0.3Ga0.7As外延薄膜；InGaAs梯度缓冲层包括由下至上依次排列的In0.08～0.10Ga0.90～0.92As缓冲层、In0.17～0.19Ga0.81～0.83As缓冲层、In0.26～0.28Ga0.72～0.74As缓冲层和In0.32～0.34Ga0.66～0.68As缓冲层。本实用新型的生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜的梯度缓冲层结构合理优化、经济、高效、In0.3Ga0.7As外延薄膜缺陷密度低、晶体质量高，便于推广应用。 | ||
| 申请公布号 | CN203288608U | 申请公布日期 | 2013.11.13 |
| 申请号 | CN201320326378.1 | 申请日期 | 2013.06.07 |
| 申请人 | 华南理工大学 | 发明人 | 李国强;高芳亮;吴平平;李景灵;管云芳 |
| 分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人 | 陈文姬 |
| 主权项 | 生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜，其特征在于，包括由下至上依次排列的GaAs衬底、InGaAs梯度缓冲层和In0.3Ga0.7As外延薄膜；所述InGaAs梯度缓冲层包括由下至上依次排列的In0.08～0.10Ga0.90～0.92As缓冲层、In0.17～0.19Ga0.81～0.83As缓冲层、In0.26～0.28Ga0.72～0.74As缓冲层和In0.32～0.34Ga0.66～0.68As缓冲层。 | ||
| 地址 | 510641 广东省广州市天河区五山路381号 | ||